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https://doi.org/10.1002/adom.202401617
在过去的十年中,基于钙钛矿的光电器件的发展得到了广泛的关注,如钙钛矿太 阳能电池(PSCs)和钙钛矿发光二极管(PeLEDs),因为它们具有优异的光电性能, 高效率和溶液可加工性等优点。无论是 PSC 器件还是 PeLED 器件,空穴传输层 (HTL)对器件的性能和长期稳定性起着至关重要的作用。因为 HTL 不仅可以 进行有效的空穴传输,而且形成了一个能垒,阻止电子与空穴的相遇,减少复合。 此外,基于HTL的薄膜在很大程度上决定了钙钛矿的结晶质量和薄膜形态。因此, 开发高效的材料来提高HTLs的质量,以实现上述功能,进一步提高钙钛矿器件的性能 是有必要的。
辉纳思光电黄锦海博士联合南京理工大学徐勃、华东理工大学苏建华等人提出通过扩展咔唑单元的π-共轭来构建基于稠合咔唑的SAM,以应用于PSC和PeLED。设计并合成了三种概念验证 SAM,称为XS8 、 XS9和XS10 ,其特点是高刚性和平面稠合咔唑作为供体,共轭烯烃单元作为连接体。这种共轭延伸提高了平面性、稳定性,并增强了分子偶极矩。其中, XS10具有最高的共轭度,在基于钙钛矿的器件中表现出优越的性能。采用XS10的 PSC 器件实现了 20.28% 的最大功率转换效率 (PCE),超过了基于 2PACz 的经典器件的 17.19% PCE。同样,采用XS10的 PeLED 器件的最大外量子效率 (EQE) 为 16.6%,而基于 PEDOT 的器件为 14.5%。这项工作提供了一种新颖的分子设计策略,为钙钛矿光电器件和其他有机电子器件创建高效稳定的 SAM。相关产品已经申请专利【CN202310550719.1】
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S. Guo,
https://doi.org/10.1002/adom.202401617