抗溶剂性小分子空穴传输材料在钙钛矿量子点发光二极管的应用

钙钛矿发光二极管（PeLEDs）由于其独特的宽色域和高色饱和度的光学特性，被认为是下一代显示器和照明的理想候选材料。自2014年PeLEDs被首次报道以来，红、绿、红外PeLEDs的最大外部量子效率已成功提高到20%。但空穴传输材料作为PeLEDs的关键组分，仍被聚合物和交联材料所垄断。合成简便，成本低廉的小分子材料始终无法被采用。究其原因，是小分子的抗溶剂性差，容易被上层量子点溶液洗去。鉴于此，南京理工大学徐勃教授&华东理工大学苏建华教授&黄锦海博士采用苯并咪唑母核，设计了三个新颖的空穴传输材料(X4, X5, X6)，通过研究分子在量子点溶剂中的溶解性和薄膜表面能，探究了小分子抗溶剂性的机理。上海辉纳思光电科技有限公司对项目提供支持，并申请专利（CN202211132193.7），相关文章发表在ACS Applied Materials & Interfaces上。研究证实，小分子抗溶剂性与溶剂性和薄膜表面能密切相关，溶剂性越好，薄膜表面能越大均会导致材料的抗溶剂性变差。该工作对于推动小分子在量子点发光二极管中的应用具有重要意义。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsami.3c08691.